イベント
| イベント名 | 酸化物半導体の基礎と 三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年10月24日（金）
13:00～16:30 【アーカイブの視聴期間】 Live配信受講のアーカイブ(見逃し)配信について 視聴期間：終了翌営業日から［10/27～11/4中］を予定 ※見逃し配信は原則として編集は行いません ※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます） ※会社・自宅にいながら受講可能です※ 【配布資料】 PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【ZoomによるLive配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年10月24日（金）13時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
酸化物半導体の基礎と
三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向
～ 酸化物半導体の材料・プロセス・デバイス特性（薄膜形成・トランジスタ形成技術） ～
～ 三次元集積化技術（3Dメモリデバイス、DRAM、NAND）への展開 ～
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【オンライン配信】
ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
Live配信受講のアーカイブ(見逃し)配信について
視聴期間：終了翌営業日から［10/27～11/4中］を予定
※見逃し配信は原則として編集は行いません
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。
(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます）
★アーカイブ配信のみの視聴も可能です（視聴期間：10/27～11/4）
酸化物半導体は IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NAND など、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
本セミナーでは、酸化物半導体の 材料物性・プロセス技術・デバイス特性 の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説します。
■得られる知識■
・酸化物半導体の材料物性、プロセス技術、デバイス技術に関する基礎
・三次元集積デバイス応用に向けた最近の酸化物半導体デバイスの研究開発動向
・酸化物半導体の材料物性、プロセス技術、デバイス技術に関する基礎
・三次元集積デバイス応用に向けた最近の酸化物半導体デバイスの研究開発動向
キーワード：酸化物半導体、三次元集積、メモリ
| 【Live配信受講者 限定特典のご案内】
Live(Zoom)配信受講者には、特典(無料)として
「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。 |
| 講師 |
東京大学 生産技術研究所 教授 Ph.D（電子工学） 小林 正治 氏
【ご専門】
集積ナノエレクトロニクス
| セミナー趣旨 |
IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。
| セミナー講演内容 |
１．背景
・酸化物半導体のニーズ
-なぜ酸化物半導体か？
２．酸化物半導体の基礎
・酸化物半導体の材料物性
-シリコンと何が違うか？
・酸化物半導体のプロセス技術
-薄膜形成技術、
-トランジスタ形成技術
・酸化物半導体のデバイス技術
-トランジスタの性能
-トランジスタの信頼性
３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
・集積デバイスの現状
-シリコンの限界
・モノリシック三次元集積技術
-混載メモリ
・三次元構造メモリデバイス
-三次元DRAM
-三次元NAND
４．まとめ
□質疑応答□
・酸化物半導体のニーズ
-なぜ酸化物半導体か？
２．酸化物半導体の基礎
・酸化物半導体の材料物性
-シリコンと何が違うか？
・酸化物半導体のプロセス技術
-薄膜形成技術、
-トランジスタ形成技術
・酸化物半導体のデバイス技術
-トランジスタの性能
-トランジスタの信頼性
３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
・集積デバイスの現状
-シリコンの限界
・モノリシック三次元集積技術
-混載メモリ
・三次元構造メモリデバイス
-三次元DRAM
-三次元NAND
４．まとめ
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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