9/6 レジストの技術・材料・プロセス・装置の総合知識

1．レジスト概要（産業上の実用例）
　　・レジスト実用化トレンド（分類）
　　・ウェットエッチング用レジスト（アンダーカット）
　　・ドライエッチング用レジスト（選択比）
　　・めっき用レジスト（ドライフィルム、金属配線形成）
　　・ソルダーレジスト（プリント基板）
　　・構造用レジスト（MEMS、3Dプリント）
　　・厚膜用レジスト（段差平坦化、Orchardの式、多層レジストプロセス）
　　・カバー用レジスト（TARC,BARC）
　　・カラーレジスト（ディスプレイ、相分離）

2．レジスト材料・プロセスの基礎（これだけは習得しておきたい）
　2-1 レジスト材料とプロセスの最適化
　　・レジストの光化学反応（ポジ、ネガ、化学増幅型、EUV、TMAH溶解）
　　・プロセスフロー（CAD設計、シフト量、ラインマッチング、process window）
　　・ポジ型／ネガ型の選択基準（ピンホール転写欠陥）
　2-2 露光描画技術の最適化
　　・露光システム（回折光、ステッパー、スキャナー、EUV）
　　・レイリ―の式（解像力、焦点深度）
　　・重ね合わせ技術（TTL、アライメントマーク）
　2-3 レジスト処理の最適化
　　・光学像コントラスト（光回折劣化）
　　・残膜曲線（感度、γ値、最適露光時間）
　　・溶解コントラスト（レジスト垂直性）
　　・現像コントラスト（現像液濃度の最適化）
　　・パターン断面改善（段差部変動、寸法リニアリティー、PEB）
　　・耐エッチングコントラスト（選択比）
　2-4 レジスト処理装置・プロセスの最適化とその要点
　　・HMDS処理（シランカップリング、vapor処理、剥離防止）
　　・コーティング（スピン、膜厚分布、乱流、スキャン塗布、ラミネート）
　　・現像（ディップ、パドル、スプレー）
　　・乾燥（ホットプレート、プロキシミティー、減圧、真空）
　　・レジスト除去（アッシング、剥離液、IPA乾燥、物理除去）

3．レジスト欠陥・トラブル対策（歩留り向上の最優先対策とは）
　3-1 致命欠陥とは
　　・欠陥と歩留まり（ウェットプロセスの貢献）
　　・配線上異物（致命／非致命欠陥、ショート／オープン欠陥、バブル欠陥）
　　・塗布ミスト（エッジ盛上り、EBRエッジバックリンス）
　　・接触異物（発塵、ウェハケース、ピンセット）
　3-2 レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは
　　・接着促進要因と剥離促進要因（バランスモデル、破断面解析）
　　・表面エネルギー（分散・極性成分マップ、付着エネルギーWa、拡張係数S、円モデル）
　　・応力歪み、膨潤、軟化（応力集中、膜内浸透）
　　・検査用パターン（サイズ、形状依存性）
　　・パターン直接剥離解析（DPAT法）
　3-3 レジスト膜欠陥と対策
　　・ストリーエーション（スジ状膜厚むら）
　　・膜分裂（超薄膜化と自己組織化）
　　・乾燥むら（乾燥対流とベナールセル、光多重干渉）
　　・環境応力亀裂（白化、クレイズとクラック）
　　・ピンホール、はじき（拡張濡れ対策）
　　・膨れ（ブリスター）
　　・現像バブル対策（界面活性剤）

4．参考資料
　　・塗膜トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
　　・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法（測定方法）

5．質疑応答
　　（日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます）