9/29まで申込み受付中 【オンデマンド配信】 半導体用レジストの基礎と材料設計 および環境配慮型の新規レジスト除去技術
| イベント名 | 【オンデマンド配信】 半導体用レジストの基礎と材料設計 および環境配慮型の新規レジスト除去技術 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年09月29日（月）
23:59まで申込受付中 ／映像時間：4時間20分 ／収録日時：2025年2月20日（木） （期間中は何度でも視聴可） ※会社・自宅にいながら受講可能です※ 【配布資料】 製本テキスト ※セミナー資料はお申込み時にご指定の住所へ発送させていただきます。 ※申込み日から営業日3日までに発送いたします。 講師メールアドレスの掲載：有 |
| 会場名 | 【オンデマンド配信】 ※何度でも・繰り返し視聴可能です。 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年09月29日（月）23時 |
| お申し込み |
|
【オンデマンド配信】
半導体用レジストの基礎と材料設計
および環境配慮型の新規レジスト除去技術
～ノボラック型・化学増幅型・EUV対応レジストの特性と評価、除去技術までを徹底解説～
詳しくはこちら → https://www.science-t.com/seminar/O250899.html
評価手法、環境調和型の除去技術までの知識が身につく！
また、デバイスメーカー出身の講師視点から、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおける具体的なレジスト評価法についても詳しく解説します。
レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、レジスト除去（剥離）、オゾン、水素ラジカル、マイクロ（ナノ）バブル
| 講師 |
大阪公立大学 学長特別補佐
大学院工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ工学分野 高分子化学研究グループ 教授
博士(工学) 堀邊 英夫 氏
[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）
| セミナー趣旨 |
半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。
レジスト剥離 (除去)技術 については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。
| セミナー講演内容 |
1．感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1.1 感光性レジストとは?
1.2 リソグラフィーについて
1.3 フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
2．レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
2.1 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2.2 レジストの基本原理
2.3 レジストの現像特性
3．ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
3.1 レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
3.2 ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3.3 ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
3.4 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
3.5 ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
4．化学増幅ポジ型レジストの材料設計
4.1 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
・ベース樹脂
・溶解抑制剤
・酸発生剤
4.2 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
4.3 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4.4 EUVレジストへの展開
4.5 i線厚膜レジストへの展開
5．環境に優しい新規なレジスト除去技術について
5.1 活性種として水素ラジカルを用いた場合
5.2 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
5.3 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
5.4 イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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