10/19 半導体パッケージ用ガラス／ガラスセラミックス基板の材料特性とVia加工技術および検査

半導体パッケージ用ガラス／ガラスセラミックス基板の材料特性とVia加工技術および検査

インターポーザ、TGV、レーザ・エッチング、マイクロクラック・SEWARE対策 etc.

講師

イトウデバイスコンサルティング　代表　伊藤 丈二　氏

1987年よりコーニングジャパン㈱にて，LCD用/OLED用/Micro-LED/LTPS・IGZO用ガラス基板製品の仕様・特性評価・技術ロードマップに携わる。1996年～2006年までセミジャパンのFPDテクノロジー基板委員会代表を務める。2014年にTGV　PJに参画。2024年から、最新FPDと半導体関連勉強会の代表を兼務。
博士（工学）早稲田大学

セミナー趣旨

本講演では、はじめに半導体パッケージ用ガラス基板の種類や、ガラスコア基板とガラスインターポーザーの違い、薄板ガラスの成形技術について解説します。続いて、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板との比較も交えながら、熱膨張係数、ヤング率、誘電特性など、半導体パッケージ用ガラス基板・材料に求められる特性と、その設計の考え方についてガラスとガラスセラミックスに対して紹介します。
　さらに、TGV形成に不可欠なVia加工技術について、ウェット・ドライエッチング、レーザ加工、および複合加工技術の特徴や課題、極薄ガラス基板の積層技術、量産化に向けて求められる加工性能を解説します。また、Via検査における評価項目や検査手法、加工時に生じるマイクロクラックへの対策やSEWARE対策、ガラス強度やクラック対策についても取り上げます。最後に、製造プロセス全体を踏まえた加工時の信頼性や製品保証、今後の半導体パッケージ用ガラス開発の課題について概説します。

セミナー講演内容

1.　半導体パッケージ用ガラス基板
　1.1 ガラス基板の種類
　1.2 ガラス基板用薄板ガラスの成形技術

2.　フラットパネルディスプレイ用ガラス基板とTGV
　2.1 TGVを用いたデバイス

3.　半導体パッケージ用ガラス基板の要求特性
　3.1 物理特性 （熱膨脹係数、ヤング率、熱伝導率）
　3.2 電気特性 （比誘電率、誘電正接）と誘電損失

4. 半導体パッケージ用基板の候補
　4.1 FPDガラスとパッケージ用ガラス
　4.2 ガラスセラミックス

5.　 過去に検討されたガラスのVia加工技術
　5.1 エッチング　（ウェットとドライ)
　5.2 レーザ単体

6.　最新のガラスのVia加工技術
　6.1 加工要求特性 (加工速度とスループット)
　6.2 レーザ主体技術
　6.3 レーザとエッチングの複合技術

7.　半導体ペッケージ用ガラスの信頼性
　7.1 Via加工時のダメージ（マイクロクラック）
　7.2 SEWARE

8. ガラスの機械強度
　8.1 ガラスの強度 (理論強度と実用強度)
　8.2 クラックサイズと強度
　8.3 ガラスの強化方法と課題

9.　評価と検査方法の課題
　9.1 破壊検査と非破壊検査

10.　半導体パッケージ用ガラス開発の課題
　10.1 製造プロセスと加工時の信頼性と製品保証

　　□質疑応答□

※講演当日までに詳細が更新・変更されることがございます。

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