9/29 次世代パワーデバイス開発の最前線 ～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

グリーンパワー山本研究所　所長　山本 秀和　氏　

専門 : 半導体デバイス、半導体結晶

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活への有り方について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

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