イベント
10/31 強誘電材料の特性・基礎と 強誘電デバイス・二次元強誘電体の作製および応用展望
| イベント名 | 強誘電材料の特性・基礎と 強誘電デバイス・二次元強誘電体の作製および応用展望 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年10月31日(金)
13:00~16:30 ※会社・自宅にいながら受講可能です※ 【配布資料】 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※Live配信受講の場合は、開催2日前を目安に、S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。 |
| 会場名 | Live配信セミナー(リアルタイム配信) |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年10月31日(金)13時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
強誘電材料の特性・基礎と
強誘電デバイス・二次元強誘電体の作製および応用展望
■強誘電体のエピタキシャル成長、エピタキシャル薄膜の剥離技術、
二次元強誘電体への展望■
★ 今注目の強誘電材料技術、最新動向!
★ 特に強誘電体超薄膜を剥離して作製した二次元強誘電体を中心に解説します。
★ 特に強誘電体超薄膜を剥離して作製した二次元強誘電体を中心に解説します。
| 講師 |
大阪大学 大学院工学研究科 教授 菅 大介 氏
| 趣旨 |
強誘電体は、現代の高度情報化社会を下支えする重要な材料です。本講演では、強誘電体の基礎からデバイス応用に至るまでを、最新の研究動向、特に強誘電体超薄膜を剥離して作製した二次元強誘電体に焦点を当てながら、解説します。
| プログラム |
<得られる知識・技術>
強誘電体に関する知識、実験技術、最新の研究動向
<プログラム>
1.強誘電体材料の歴史・進展
2.強誘電体の基礎特性
3.酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性
4.強誘電体のエピタキシャル成長技術
5.強誘電エピタキシャル薄膜の基礎特性
6.強誘電体のサイズ効果・クランピング効果・ストレイン効果
7.酸化物超薄膜の(強)誘電特性
8.エピタキシャル薄膜の剥離技術
9.エピタキシャル薄膜の剥離により作製したメンブレン結晶の特性
10.酸化物メンブレン結晶の最新研究動向
11.強誘電ゲートトランジスタ・強誘電デバイス
12.二次元強誘電体の応用展望
13.二次元強誘電体の最新の研究成果・今後の展望
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。
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